IRF9Z24NS中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF9Z24NS |
| 功能描述 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-263 |
| 文件大小 |
931.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡稱 |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 11:49:00 |
| 人工找貨 | IRF9Z24NS價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF9Z24NS
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2022+ |
TO-263 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
IR |
1822+ |
TO263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR原裝 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
9450 |
原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO-263-2 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SMD |
12000 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
SOT263 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) |
