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IRF9Z24中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9Z24
廠商型號

IRF9Z24
功能描述

P-CHANNEL POWER MOSFETs
文件大小

287.18 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

SAMSUNG【三星】

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
SAMSUNG
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-3 10:06:00
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IRF9Z24規(guī)格書詳情

FEATURES

? Lower RDS(ON)

? Improved inductive ruggedness

? Fast switching times

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Lower input capacitance

? Extended safe operating area

? Improved high tmeperature reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF9Z24

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon
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NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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原裝正品現(xiàn)貨
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