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IRF9Z24中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF9Z24
廠商型號

IRF9Z24

功能描述

POWER MOSFET

文件大小

174.81 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 23:00:00

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IRF9Z24規(guī)格書詳情

描述 Description

Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? P-Channel

? 175 °C Operating Temperature

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF9Z24

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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