IRF9Z20中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF9Z20規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The HEXFET? technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.
The P-Channel HEXFETd are designed for application which require the convenience of reverse polarity operation. They retain all of the features of the more common N-channel HEXFETs such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling, and excellent temperature stability.
FEATURES
■ P-Channel Versatility
■ Compact Plastic Package
■ Fast Switching
■ Low Drive Current
■ Ease of Paralleling
■ Excellent Temperature Stability
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF9Z20
- 功能描述：
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
974 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY(威世) |
24+ |
TO220 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
SAMSUNG/三星 |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
160869 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
詢價 | |||
Vishay |
1822+ |
TO-220AB |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
IR |
25+23+ |
TO220 |
36601 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
8950 |
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低 |
詢價 | ||
VishayIR |
24+ |
TO-220AB |
2488 |
詢價 | |||
IR |
TO220 |
9850 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 |
