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IRF640S中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF640S
廠商型號

IRF640S

功能描述

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

文件大小

84.23 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-27 17:30:00

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IRF640S規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY?process. This technology matches and improves the performances compared with

standard parts from various sources.

■ TYPICAL RDS(on)= 0.150?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF640S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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