IRF640FP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRF640FP |
| 功能描述 | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| 文件大小 |
107.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-24 10:14:00 |
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IRF640FP規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.150 ?
■ EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF640FP
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1822+ |
TO-262 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
ST |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
VB |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO-220 |
25000 |
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22+ |
NA |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
35750 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
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詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
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IR |
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原廠原裝 |
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詢價 |
