IRF3205S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF3205S |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A?? |
| 文件大小 |
160.74 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 19:44:00 |
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IRF3205S規(guī)格書詳情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0m?
ID= 110A?
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF3205S
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
TO-263 |
12000 |
VISHAY專營(yíng)進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
D2PAK |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IR |
05+ |
TO-263 |
800 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價(jià) | |||
SI |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
IR |
24+ |
NA |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO263 |
50340 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) |
