IRF3205L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF3205L規(guī)格書詳情
VDSS= 55V
RDS(on)= 8.0m?
ID= 110A?
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3205L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO262 |
12700 |
買原裝認準(zhǔn)中賽美 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
501142 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
25264 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |
