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IRF634NPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NS	文件：301.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.435ohm,Id=8.0A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NS	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NSPBF	文件：222.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF634NSPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NSTRL	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NSTRLPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NSTRR	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRF634NSTRRPBF	文件：162.91 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylow on-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesigner	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRC634
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRC634供應商更新時間2025-7-28 16:30:00

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