IRF634NS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRF634NS |
| 功能描述 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A) |
| 文件大小 |
301.06 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-5 15:18:00 |
| 人工找貨 | IRF634NS價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
Fifth Generation HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF634NS
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
NA/ |
4411 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2-PAK |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D2-PAK |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
05+ |
原廠原裝 |
1001 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
35890 |
詢價(jià) |
