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IS61LV25616AL-10BLI集成電路 SRAM - 異步 存儲器 IC 4Mb 并聯(lián) 10 ns 48-TFBGA（8x10）

2025-8-19 9:01:00

  • IS61LV25616AL-10BLI集成電路

IS61LV25616AL-10BLI集成電路 SRAM - 異步 存儲器 IC 4Mb 并聯(lián) 10 ns 48-TFBGA（8x10）

存儲器格式

SRAM

技術(shù)

SRAM - 異步

存儲容量

4Mb

存儲器組織

256K x 16

存儲器接口

并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁

10ns

訪問時間

10 ns

電壓 - 供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

48-TFBGA

供應(yīng)商器件封裝

48-TFBGA（8x10）

基本產(chǎn)品編號

IS61LV25616

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市德力誠信科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王女士

  • 手機：

    13969210552

  • 詢價：
  • 電話：

    13969210552

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號漢國城市商業(yè)中心3204