產(chǎn)品特點(diǎn)：

高速信號傳輸：由 GaAlAs 紅外發(fā)光二極管與高速光電探測器 IC 芯片組成，傳播延遲時間較短，tpHL 最大值為 190ns，tpLH 最大值為 170ns，能快速傳輸信號。

高共模瞬態(tài)抗擾度：光電探測器 IC 芯片具有內(nèi)部屏蔽，可提供 ±20kV/μs 的高共模瞬態(tài)抗擾度，輸入和輸出引腳之間抗噪能力出色。

圖騰柱輸出：輸出部為圖騰柱電路，可實(shí)現(xiàn)吸入（Sink）和拉出（Source）雙向驅(qū)動，輸出峰值電流最大可達(dá) ±2.5A，能夠直接驅(qū)動小容量的 IGBT 及功率 MOSFET。

高絕緣性能：隔離電壓為 3750Vrms（最小值），能有效隔離輸入與輸出電路，確保電氣安全。

技術(shù)參數(shù)：

通道數(shù)：1 通道。

正向電壓：典型值為 0.8V。

最大正向電流：20mA。

電源電壓：10V 至 30V。

工作溫度范圍：-40℃至 100℃。

存儲溫度范圍：-55℃至 125℃。

引腳數(shù)：5Pin。

應(yīng)用領(lǐng)域：適用于等離子顯示面板（PDP）、工業(yè)逆變器、MOSFET 柵極驅(qū)動、IGBT 柵極驅(qū)動等場景，可實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離和信號傳輸，常用于電磁爐、光伏逆變器等設(shè)備中。