
電壓參數(shù):漏 - 源電壓(VDS)可達(dá) 40V。
通道類型:P 溝道。
封裝形式:通常采用表面貼裝封裝,便于在電路板上進(jìn)行焊接安裝,可應(yīng)用于空間受限的電路設(shè)計(jì)中。
該 MOSFET 可用于各種需要功率開關(guān)控制的電路中,如電源管理電路、電機(jī)驅(qū)動電路等,能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的控制和開關(guān)功能。
Si7155DP-T1-GE3
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林小姐
13530883133
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