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IKW15N120CS7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IKW15N120CS7 |
參數(shù)屬性 | IKW15N120CS7 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:INDUSTRY 14 PG-TO247-3 |
功能描述 | EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact) |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
4.24411 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
34 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-31 21:16:00 |
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IKW15N120CS7規(guī)格書詳情
IKW15N120CS7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW15N120CS7晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
? Single-channel isolated gate driver
? For use with 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si and SiC MOSFETs
? Up to 6.5 A typical peak output current
? 45 ns propagation delay with 7 ns part-to-part matching (skew)
? 35 V absolute maximum output supply voltage
? High common-mode transient immunity CMTI > 300 kV/μs
? Separate source and sink outputs with active shutdown and short circuit clamping
? Galvanically isolated coreless transformer gate driver
? 3.3 V and 5 V input supply voltage
? Suitable for operation at high ambient temperature and in fast switching applications
? UL 1577 certification VISO = 3.0 kV (rms) for 1 min
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IKW15N120CS7XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
750μJ(開),700μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
23ns/170ns
- 測試條件:
600V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3
- 描述:
INDUSTRY 14 PG-TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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