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IKW15N120CS7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW15N120CS7
廠商型號

IKW15N120CS7

參數(shù)屬性

IKW15N120CS7 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:INDUSTRY 14 PG-TO247-3

功能描述

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F (1ED-X3 Compact)
INDUSTRY 14 PG-TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

4.24411 Mbytes

頁面數(shù)量

34

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-31 21:16:00

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IKW15N120CS7規(guī)格書詳情

IKW15N120CS7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW15N120CS7晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? Single-channel isolated gate driver

? For use with 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBTs, Si and SiC MOSFETs

? Up to 6.5 A typical peak output current

? 45 ns propagation delay with 7 ns part-to-part matching (skew)

? 35 V absolute maximum output supply voltage

? High common-mode transient immunity CMTI > 300 kV/μs

? Separate source and sink outputs with active shutdown and short circuit clamping

? Galvanically isolated coreless transformer gate driver

? 3.3 V and 5 V input supply voltage

? Suitable for operation at high ambient temperature and in fast switching applications

? UL 1577 certification VISO = 3.0 kV (rms) for 1 min

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKW15N120CS7XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    750μJ(開),700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/170ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    INDUSTRY 14 PG-TO247-3

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