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HMC903LP3E數(shù)據(jù)手冊RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF

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廠商型號

HMC903LP3E

參數(shù)屬性

HMC903LP3E 封裝/外殼為16-VFQFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

功能描述

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,6 GHz至17 GHz
IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

封裝外殼

16-VFQFN 裸露焊盤

制造商

ADI Analog Devices

中文名稱

亞德諾 亞德諾半導體技術(shù)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 23:00:00

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HMC903LP3E規(guī)格書詳情

描述 Description

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA),提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz,提供18.5 dB的小信號增益,1.7 dB的噪聲系數(shù)(在6 GHz至16 GHz頻段范圍內(nèi)),25 dBm的輸出IP3(全頻段6 GHz至17 GHz),采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。

14.5 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。HMC903LP3E還具有隔直輸入和輸出,內(nèi)部匹配至50 Ω,因而非常適合高容量微波無線電和視頻衛(wèi)星(VSAT)應用。

特性 Features

? 低噪聲系數(shù):1.7 dB(典型值,6 GHz至16 GHz時)

? 高增益:18.5 dB(典型值,6 GHz至16 GHz時)

? 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率:
14.5 dBm(典型值,6 GHz至16 GHz時)

? 單電源電壓:3.5 V(典型值,80 mA)

? 輸出三階交調(diào)截點(IP3):25 dBm(典型值)

? 50 Ω匹配輸入/輸出

? 具有自偏置,提供可選偏置控制來降低IDQ

? 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝

簡介

HMC903LP3E屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由制造生產(chǎn)的HMC903LP3E射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HMC903LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    托盤

  • 頻率:

    6GHz ~ 17GHz

  • P1dB:

    13dBm

  • 增益:

    18dB

  • 噪聲系數(shù):

    2.2dB

  • 射頻類型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    3.5V

  • 電流 - 供電:

    110mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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