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HMC903LP3E

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，6 GHz至17 GHz; ? 低噪聲系數(shù)：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz時）\n\n? 高增益：18.5 dB（典型值，6 GHz至16 GHz時）\n\n? 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：\n14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz時）\n\n? 單電源電壓：3.5 V（典型值，80 mA）\n\n? 輸出三階交調截點(IP3)：25 dBm（典型值）\n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出\n\n? 具有自偏置，提供可選偏置控制來降低IDQ\n\n? 16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝;

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信號增益，1.7 dB的噪聲系數(shù)（在6 GHz至16 GHz頻段范圍內），25 dBm的輸出IP3（全頻段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。 \n\n 14.5 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。HMC903LP3E還具有隔直輸入和輸出，內部匹配至50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電和視頻衛(wèi)星(VSAT)應用。\n\n

HMC903LP3E

GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 6 - 17 GHz

HMC903LP3E

MMIC, Low Noise Amplifier

HMC903LP3E

Package：16-VFQFN 裸露焊盤；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN

HMC903LP3ETR

MMIC, Low Noise Amplifier

HMC903LP3ETR

Package：16-VFQFN 裸露焊盤；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP GP 6GHZ-17GHZ 16QFN