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HMC902LP3E數(shù)據(jù)手冊(cè)RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

HMC902LP3E

參數(shù)屬性

HMC902LP3E 封裝/外殼為16-VFQFN 裸露焊盤(pán);包裝為托盤(pán);類(lèi)別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP GP 5GHZ-10GHZ 16QFN

功能描述

低噪聲放大器,采用SMT封裝,5 - 10 GHz
IC RF AMP GP 5GHZ-10GHZ 16QFN

封裝外殼

16-VFQFN 裸露焊盤(pán)

制造商

ADI Analog Devices

中文名稱(chēng)

亞德諾 亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 15:00:00

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HMC902LP3E規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置,以降低IDQ。HMC902LP3E采用無(wú)引腳3 mm × 3 mm塑料表貼封裝。該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz,提供19.5 dB的小信號(hào)增益,1.8 dB的噪聲系數(shù),28 dBm的輸出IP3,采用3.5 V電源時(shí)功耗僅為80 mA。

16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動(dòng)器。HMC902LP3E還具有隔直輸入/輸出,內(nèi)部匹配50 Ω,因而非常適合高容量微波無(wú)線電和C頻段甚小孔徑終端(VSAT)應(yīng)用。

特性 Features

? 低噪聲系數(shù):1.8 dB(典型值)

? 高增益:19.5 dB

? 高P1dB輸出功率:16 dBm(典型值)

? 單電源:3.5 V (80 mA)

? 輸出IP3:28 dBm

? 50 Ω匹配輸入/輸出

? 通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置,以降低靜態(tài)漏極控制(IDQ)。

? 3 mm × 3 mm、16引腳芯片級(jí)(LFCSP)封裝:9 mm2

簡(jiǎn)介

HMC902LP3E屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由制造生產(chǎn)的HMC902LP3E射頻放大器在射頻應(yīng)用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號(hào)增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運(yùn)算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HMC902LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類(lèi)別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 頻率:

    5GHz ~ 10GHz

  • P1dB:

    16dBm

  • 增益:

    19.5dB

  • 噪聲系數(shù):

    1.8dB

  • 射頻類(lèi)型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    3.5V

  • 電流 - 供電:

    110mA

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    16-VFQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 5GHZ-10GHZ 16QFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ADI
202511
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