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HMC637

GaAs MESFET MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 6 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC637

Active Bias Controller High Current

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC637

Package:模具;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述:IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ DIE 1=2PC

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC637A-Die

GaAs MMIC 1 W功率放大器,DC - 6 GHz; ? P1dB輸出功率: +30.5 dBm \n\n? 增益: 14 dB \n\n? 輸出IP3: +41 dBm \n\n? 偏置電源: +12V、+6V、-1V \n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出 \n\n? 裸片尺寸: 2.98 x 2.48 x 0.1 mm;

HMC637A是一款GaAs MMIC MESFET分布式功率放大器裸片,工作頻率范圍在DC至6 GHz。 該放大器提供14 dB增益、+41 dBm輸出IP3和+30.5 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),功耗為400mA(采用+12V電源)。 HMC637A在DC至6 GHz范圍內(nèi)提供±0.5 dB的出色增益平坦度,因而適合EW、ECM、雷達和測試設(shè)備應(yīng)用。 \n\n HMC637A放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω阻抗,方便集成多芯片模塊(MCM)。 數(shù)據(jù)均由通過最短0.31 mm (12 mil)的兩條0.025mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。 \n\n

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC637ALP5

GaAs pHEMT MMIC 1W功耗放大器,DC - 6 GHz; P1dB輸出功率: +29 dBm \n增益: 13 dB \n輸出IP3: +44 dBm \n50 Ω匹配輸入/輸出 \n32引腳5x5mm SMT封裝 \n;

HMC637ALP5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器,工作頻率范圍為DC至6 GHz。 該放大器提供13 dB增益、+44 dBm輸出IP3和+29 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),功耗為400 mA(采用+12V電源)。 HMC637ALP5E在DC - 6 GHz范圍內(nèi)提供±0.75 dB的出色增益平坦度,因而非常適合EW、ECM、雷達和測試設(shè)備應(yīng)用。 HMC637ALP5E放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω阻抗,5x5 mm QFN封裝與高容量SMT裝配設(shè)備兼容。\n \n

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HMC637ALP5E

GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz; ? P1dB輸出功率:29 dBm \n\n? 增益:13 dB \n\n? 輸出IP3:44 dBm \n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出\n\n? 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝:25 mm2\n\n? 擴展工業(yè)溫度范圍:-55℃至+105°C;

HMC637ALP5E 是一款砷化鎵 (GaAs) 、單芯片微波集成電路 (MMIC) 、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 分布式功率放大器,工作頻率范圍為 0.1 GHz 至 6 GHz 。該放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 輸出三階交調(diào)截點 (IP3) 和 29 dBm 輸出功率( 1 dB 增益壓縮),功耗為 400 mA (采用 12 V 電源)。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范圍內(nèi)的增益平坦度為 ±0.75 dB ,因而非常適合電子戰(zhàn) (EW) 、電子對抗 (ECM) 、雷達和測試設(shè)備應(yīng)用。 HMC637ALP5E 放大器射頻 (RF) I/O 內(nèi)部匹配至 50 Ω ,且 5 mm × 5 mm 引腳架構(gòu)芯片級封裝 (LFCSP) 與大規(guī)模表貼技術(shù) (SMT) 組裝設(shè)備兼容。 \n\n 應(yīng)用 \n\n 電信基礎(chǔ)設(shè)施 微波無線電 甚小孔徑終端 (VSAT) 軍事與太空 測試儀器儀表 光纖產(chǎn)品

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

HMC637A

GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

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HMC637ALP5E

GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

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HMC637BPM5E

GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

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HMC637BPM5ETR

GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HMC637

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    0Hz ~ 6GHz

  • P1dB:

    29dBm

  • 增益:

    14dB

  • 噪聲系數(shù):

    5dB

  • 射頻類型:

    通用

  • 電壓 - 供電:

    12V

  • 電流 - 供電:

    400mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ DIE 1=2PC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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