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HMC637BPM5E

GaAs、pHEMT、MMIC、單正電源、DC至6 GHz、1 W功率放大器; ? P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）\n\n? 增益：15 dB（典型值）\n\n? 輸出IP3：40 dBm（典型值）\n\n? 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調(diào)整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制\n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出\n\n? 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2;

HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級聯(lián)分布式功率放大器，在正常工作時可實現(xiàn)自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調(diào)整。該放大器的工作頻率范圍為DC至6 GHz，提供15 dB小信號增益、27.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮）、40 dBm典型輸出IP3和4 dB噪聲指數(shù)，采用VDD 12 V電源電壓時功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍內(nèi)的增益平坦度（典型值±0.5 dB時）非常出色，因而極為適合軍事、太空和測試設(shè)備應(yīng)用。HMC637BPM5E還具有內(nèi)部匹配至50 Ω的輸入/輸出(I/O)，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的5 mm × 5 mm LFCSP預(yù)制空腔封裝，可與高容量表貼技術(shù)(SMT)裝配設(shè)備兼容。\n\n

HMC637BPM5E

GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

HMC637BPM5E

Package：32-LFQFN 裸露焊盤，CSP；包裝：帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV

HMC637BPM5ETR

GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Power Amplifier

HMC637BPM5ETR

Package：32-LFQFN 裸露焊盤，CSP；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP GP 0HZ-7.5GHZ 32LFCSP-CAV