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HMC637ALP5

GaAs pHEMT MMIC 1W功耗放大器，DC - 6 GHz; P1dB輸出功率： +29 dBm \n增益： 13 dB \n輸出IP3： +44 dBm \n50 Ω匹配輸入/輸出 \n32引腳5x5mm SMT封裝 \n;

HMC637ALP5E是一款GaAs MMIC pHEMT分布式功率放大器，工作頻率范圍為DC至6 GHz。 該放大器提供13 dB增益、+44 dBm輸出IP3和+29 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為400 mA（采用+12V電源）。 HMC637ALP5E在DC - 6 GHz范圍內(nèi)提供±0.75 dB的出色增益平坦度，因而非常適合EW、ECM、雷達(dá)和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用。 HMC637ALP5E放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω阻抗，5x5 mm QFN封裝與高容量SMT裝配設(shè)備兼容。\n \n

HMC637ALP5E

GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器，0.1 GHz至6 GHz; ? P1dB輸出功率：29 dBm \n\n? 增益：13 dB \n\n? 輸出IP3：44 dBm \n\n? 50 Ω匹配輸入/輸出\n\n? 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2\n\n? 擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍：-55℃至+105°C;

HMC637ALP5E 是一款砷化鎵 (GaAs) 、單芯片微波集成電路 (MMIC) 、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 分布式功率放大器，工作頻率范圍為 0.1 GHz 至 6 GHz 。該放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 輸出三階交調(diào)截點(diǎn) (IP3) 和 29 dBm 輸出功率（ 1 dB 增益壓縮），功耗為 400 mA （采用 12 V 電源）。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范圍內(nèi)的增益平坦度為 ±0.75 dB ，因而非常適合電子戰(zhàn) (EW) 、電子對(duì)抗 (ECM) 、雷達(dá)和測(cè)試設(shè)備應(yīng)用。 HMC637ALP5E 放大器射頻 (RF) I/O 內(nèi)部匹配至 50 Ω ，且 5 mm × 5 mm 引腳架構(gòu)芯片級(jí)封裝 (LFCSP) 與大規(guī)模表貼技術(shù) (SMT) 組裝設(shè)備兼容。 \n\n 應(yīng)用 \n\n 電信基礎(chǔ)設(shè)施 微波無(wú)線電 甚小孔徑終端 (VSAT) 軍事與太空 測(cè)試儀器儀表 光纖產(chǎn)品

HMC637ALP5E

GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER

HMC637ALP5E

Package：32-VFQFN 裸露焊盤(pán)；包裝：托盤(pán) 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN

HMC637ALP5ETR

Package：32-VFQFN 裸露焊盤(pán)；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-6GHZ 32QFN