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IRFP460B

DSeriesPowerMOSFETs

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460BPBF

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460BPBF

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460C

500VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFP460LC

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=20A)

Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

IRF

International Rectifier

IRFP460LC

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460LC

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460LC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max) ?FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP460LC

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460LCPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HMC-APH460-SX

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    托盤

  • 頻率：

    27GHz ~ 31.5GHz

  • P1dB：

    28dBm

  • 增益：

    14dB

  • 射頻類型：

    VSAT，DBS

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    900mA

  • 測(cè)試頻率：

    27GHz ~ 31.5GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC RF AMP VSAT 27GHZ-31.5GHZ DIE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多HMC-APH460-SX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:12:00

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