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IRFP460LC

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max) ?FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP460LC

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)

Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

IRF

International Rectifier

IRFP460LC

Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP460LC

Power MOSFET

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威世科技威世科技半導體

IRFP460LC

Power MOSFET

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威世科技威世科技半導體

IRFP460LC

Power MOSFET; ? Ultra low gate charge\n? Reduced gate drive requirement\n? Enhanced 30 V VGS rating\n\n\n\n;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP460LC

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A);

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRFP460LCPBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

IRF

International Rectifier

IRFP460LCPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The

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IRFP460LC_17

Power MOSFET

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFP460LC

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 500V 20 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFP460LC供應商 更新時間2025-7-28 16:33:00

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