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IRFP460

MegaMOS-PowerMOSFET

MegaMOS?PowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode,HDMOS?Family Features ●Repetitiveavalancheenergyrated ●Fastswitchingtimes ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●HighCommutatingdv/dtRating Applications ●SwitchingPowerSupplies ●Motorcontr

IXYS

IXYS Corporation

IRFP460

N-CHANNEL500V-0.22ohm-20A-TO-247PowerMESH]MOSFET

DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.22? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

IRFP460

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheIRFP460issuppliedi

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

IRFP460

20A,500V,0.270Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRFP460

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=20A)

Features ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMoutingHole ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements.

IRF

International Rectifier

IRFP460

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max) ?FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP460

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP460

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HMC-APH460-SX

  • 制造商：

    Analog Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    托盤

  • 頻率：

    27GHz ~ 31.5GHz

  • P1dB：

    28dBm

  • 增益：

    14dB

  • 射頻類型：

    VSAT，DBS

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    900mA

  • 測試頻率：

    27GHz ~ 31.5GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模具

  • 描述：

    IC RF AMP VSAT 27GHZ-31.5GHZ DIE

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更多HMC-APH460-SX供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:12:00

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