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HGTG40N60B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

HGTG40N60B3
廠商型號(hào)

HGTG40N60B3

參數(shù)屬性

HGTG40N60B3 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 290W TO247

功能描述

70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

76.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INTERSIL

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網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-11 19:26:00

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HGTG40N60B3規(guī)格書(shū)詳情

The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

? 70A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG40N60B3

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.05mJ(開(kāi)),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    47ns/170ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,40A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 290W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD
20+
原裝
65790
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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23+
原包裝原封 □□
2095
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià),原裝元器件供應(yīng),支持開(kāi)發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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