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HGTG30N60A4D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
HGTG30N60A4D |
| 參數(shù)屬性 | HGTG30N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 463W TO247 |
| 功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
191.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-12 20:57:00 |
| 人工找貨 | HGTG30N60A4D價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGTG30N60A4D規(guī)格書詳情
The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode
used in anti-parallel is the development type TA49373.
特性 Features
? >100kHz Operation At 390V, 30A
? 200kHz Operation At 390V, 18A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . . 60ns at TJ= 125°C
? Low Conduction Loss
? Temperature Compensating SABER? Model www.fairchildsemi.com
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
HGTG30N60A4D
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
280μJ（開），240μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
25ns/150ns
- 測試條件：
390V，30A，3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A 463W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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