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HGTG30N60B3D分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG30N60B3D
廠商型號

HGTG30N60B3D

參數(shù)屬性

HGTG30N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 60A TO247-3

功能描述

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

109.09 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商

INTERSIL

網址

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更新時間

2025-8-11 23:39:00

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HGTG30N60B3D規(guī)格書詳情

The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49170. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.

特性 Features

? 60A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Hyperfast Anti-Parallel Diode

產品屬性

  • 產品編號:

    HGTG30N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    550μJ(開),680μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    36ns/137ns

  • 測試條件:

    480V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FCS
20+
TO-2473L
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
12388
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
FAIRCHILD品牌
2016+
TO-3P
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
詢價
FSC
16+
TO-247-3
10
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
FAIRCHILD
23+
TO-3P
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
FAIRCHILD
10+
TO-247
544
絕對真實庫存 百分百原裝正品
詢價
ON/安森美
19+
10000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務
詢價
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價
INTERSIL
24+
NA
6000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
詢價