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HGTG20N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

HGTG20N60C3
廠商型號(hào)

HGTG20N60C3

參數(shù)屬性

HGTG20N60C3 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 164W TO247

功能描述

45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

144.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱(chēng)

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 15:22:00

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HGTG20N60C3規(guī)格書(shū)詳情

This family of MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

? 45A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG20N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,20A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    500μJ(開(kāi)),500μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    28ns/151ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 164W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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