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GT30J341分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT30J341
廠商型號

GT30J341

參數(shù)屬性

GT30J341 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-3P-3,SC-65-3

文件大小

301.06 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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GT30J341規(guī)格書詳情

1. Applications

? Motor Drivers

2. Features

(1) Sixth generation

(2) Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V (typ.) (IC= 30 A)

(3) High junction temperature: Tj= 175?°C(max)

(4) FRD included between emitter and collector

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT30J341,Q

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    800μJ(開),600μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    80ns/280ns

  • 測試條件:

    300V,30A,24 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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