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GT30J324中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

GT30J324
廠商型號(hào)

GT30J324

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

166.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 20:44:00

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GT30J324規(guī)格書(shū)詳情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

? Fourth-generation IGBT

? Enhancement mode type

? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.)

: Eoff = 0.80 mJ (typ.)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

? FRD included between emitter and collector

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT30J324

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-3P(N)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(N)

  • 功能描述:

    IGBT, 600V, TO-3P(N), Transistor

  • Type:

    IGBT, DC Collector

  • Current:

    30A, Collector

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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