GT30J121分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
GT30J121 |
| 參數(shù)屬性 | GT30J121 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
| 功能描述 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
294.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 16:22:00 |
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GT30J121規(guī)格書詳情
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
? Fourth-generation IGBT
? Enhancement mode type
? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
High speed: tf = 0.05 μs (typ.)
Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.)
? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
GT30J121(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.45V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
1mJ（開），800μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
90ns/300ns
- 測試條件：
300V，30A，24 歐姆，15V
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P（N）
- 描述：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA/ |
32365 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
25+ |
管3P |
18000 |
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA(東芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
TOS |
24+ |
TO-3P |
5000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
XTW |
24+ |
QFN |
30739 |
絕對原廠支持只做自己現(xiàn)貨優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
22+ |
TO-3P |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TOS |
1822+ |
TO-3P(N) |
9852 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
2447 |
TO-3P |
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Toshiba |
2022+ |
原廠原包裝 |
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詢價(jià) |
