GT30J121分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
GT30J121 |
參數(shù)屬性 | GT30J121 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
封裝外殼 | TO-3P-3,SC-65-3 |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
73 頁 |
生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
中文名稱 | 東芝 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-1 23:01:00 |
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GT30J121規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
GT30J121(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.45V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
1mJ(開),800μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
90ns/300ns
- 測試條件:
300V,30A,24 歐姆,15V
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P(N)
- 描述:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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TOSHIBA/東芝 |
24+ |
NA/ |
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