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GT10J312(Q)

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 頁數(shù):73 Pages

TOSHIBA

東芝

GT10J312

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

文件:509.24 Kbytes 頁數(shù):7 Pages

TOSHIBA

東芝

GT10J312

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS ● Third-generation IGBT ● Enhancement mode type ● High speed : tf = 0.30μs (Max.) ● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) ● FRD included between emitter and collector

文件:295.12 Kbytes 頁數(shù):6 Pages

TOSHIBA

東芝

GT150HF120T1NH-SF

SILVERMICRO/銀茂微
IGBT模塊

SILVERMICRO/銀茂微

上傳:深圳市芯緯度科技有限公司

SILVERMICRO/銀茂微

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GT10J312(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    400ns/400ns

  • 測試條件:

    300V,10A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SM

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
22+
TO220SM
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-220SM
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TO-220
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更多GT10J312(Q)供應(yīng)商 更新時間2025-8-20 16:23:00