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首頁>熱銷型號第146頁>GT10J312(Q)>詳情

GT10J312(Q)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：GT10J312(Q)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：IGBT 600V 10A 60W TO220SM

GT10J312(Q)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的GT10J312(Q)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    gt10j312(q)

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT10J312(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    400ns/400ns

  • 測試條件：

    300V，10A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220SM

  • 描述：

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba Semiconductor and Stor
22+
TO220SM
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
TO-220SM
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Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-252-3 DPak(2 引線 + 接片
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TOS
24+
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