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首頁(yè)>GT10J312>規(guī)格書詳情

GT10J312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT10J312
廠商型號(hào)

GT10J312

參數(shù)屬性

GT10J312 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

功能描述

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

509.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-24 18:19:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT10J312(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    400ns/400ns

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SM

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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