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首頁>熱銷型號(hào)第146頁>GT10G131(TE12L,Q)>詳情

GT10G131(TE12L,Q)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號(hào)：

    GT10G131(TE12L,Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單

  • 封裝外殼：

    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-8-20 15:01:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：GT10G131(TE12L,Q)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：IGBT 400V 1W 8-SOIC

GT10G131(TE12L,Q)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）的GT10G131(TE12L,Q)晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    gt10g131(te12l,q)

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT10G131(TE12L,Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 4V，200A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    3.1μs/2μs

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOP（5.5x6.0）

  • 描述：

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
8-SOP(5.5x6.0)
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
Toshiba Semiconductor and Stor
22+
8SOP (5.5x6.0)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Toshiba Semiconductor and Stor
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8-SOIC(0.173 4.40mm 寬)
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