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FQI8N60C中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 600V,7.5A,1.2?數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號

FQI8N60C

功能描述

N 溝道 QFET? MOSFET 600V,7.5A,1.2?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 23:01:00

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FQI8N60C規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?7.5A, 600V, RDS(on)= 1.2Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.75A柵極電荷低(典型值:28nC)
?低 Crss(典型值12pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
?RoHS compliant

應(yīng)用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQI8N60C

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :7.5

  • PD Max (W)

    :147

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :28

  • Ciss Typ (pF)

    :965

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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