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FQI4N80中文資料800V N溝道QFET?數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號

FQI4N80

功能描述

800V N溝道QFET?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-11 10:20:00

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FQI4N80規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體?的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。 這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?3.9A,800V,RDS(on)= 3.6Ω(最大值)(VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 時)
?低柵極電荷(典型值 19nC)
?低 Crss(典型值 8.6pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試

應(yīng)用 Application

? 其他工業(yè)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQI4N80

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :800

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :3.9

  • PD Max (W)

    :130

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3600

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19

  • Ciss Typ (pF)

    :680

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC
24+
TO-262
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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