FQI4N90中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 900V,4.2A,3.3?數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
FQI4N90 |
功能描述 | N 溝道 QFET? MOSFET 900V,4.2A,3.3? |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-11 10:18:00 |
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描述 Description
該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門(mén)定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
特性 Features
?4.2A, 900V, RDS(on)= 3.3Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 2.1A柵極電荷低(典型值:24 nC)
?低 Crss(典型值9.5pF)
?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試
?100% avalanche tested
應(yīng)用 Application
? 其他工業(yè)
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
:FQI4N90
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:900
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:4.2
- PD Max (W)
:140
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3300
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:24
- Ciss Typ (pF)
:860
- Package Type
:I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
TO262 |
23+ |
6000 |
原裝現(xiàn)貨有上庫(kù)存就有貨全網(wǎng)最低假一賠萬(wàn) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO262 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
兩年內(nèi) |
N/A |
2000 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-262(I2PAK) |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
11+ |
TO-262 |
3000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
6000 |
代理原裝正品 |
詢價(jià) | |||
harris |
16+ |
原廠封裝 |
10000 |
全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO262 |
9860 |
原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買 |
詢價(jià) | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
25+ |
SMD |
8880 |
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世! |
詢價(jià) |