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FQI7N60中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 600V,7.4A,1?數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書

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廠商型號

FQI7N60

功能描述

N 溝道 QFET? MOSFET 600V,7.4A,1?

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 10:20:00

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FQI7N60規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?7.4A, 600V, RDS(on)= 1.0Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.7A柵極電荷低(典型值:29nC)
?低 Crss(典型值16pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
?RoHS compliant

應(yīng)用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FQI7N60

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :7.4

  • PD Max (W)

    :142

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :1100

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
24+
1E33AH
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-262
27950
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
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FAIRCHILD
23+
TO220
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
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安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨
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兩年內(nèi)
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原裝現(xiàn)貨,實單價格可談
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24+
TO-262(I2PAK)
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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FAIRCHILD
23+
TO220
2600
原廠原裝正品
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22+
6000
代理原裝正品
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