FQI5N60C中文資料N 溝道 QFET? MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI規(guī)格書
| 廠商型號 |
FQI5N60C |
| 功能描述 | N 溝道 QFET? MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-11 23:01:00 |
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FQI5N60C規(guī)格書詳情
描述 Description
該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及電子鎮(zhèn)流器。.
特性 Features
?4.5 A、600 V、RDS(on)= 2.5 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 2.25 A柵極電荷低（典型值：15nC)
?低 Crss（典型值6.5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?100% avalanche tested
應(yīng)用 Application
? 照明
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：FQI5N60C
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：4.5
- PD Max (W)
：100
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15
- Ciss Typ (pF)
：515
- Package Type
：I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3447 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
I2PAK |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-262 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-262 |
197 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO262 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD |
05+ |
TO220F |
150 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
I2PAK-3TO262 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-262(I2PAK) |
505348 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價 |
