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零件型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
GC20N60K	文件：2.51102 Mbytes Page：8 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
GC20N60T	文件：2.51102 Mbytes Page：8 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半導(dǎo)體	GOFORD
HIA20N60BP	文件：664.05 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH20N60BP	文件：644.27 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM20N60	文件：817.51 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N60A	文件：532.49 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N60F	文件：919.87 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMG20N60A	文件：633.94 Kbytes Page：5 Pages	20A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IKB20N60T	文件：435.11 Kbytes Page：15 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKB20N60T	文件：703.05 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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技術(shù)參數(shù)

ID_Tc=25℃：
20
ID_Tc=100℃：
13
VGS(V)：
±30
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2
MAX(V)：
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at Vgs=10V_Tpy：
0.36
at Vgs=10V_Max：
0.45
Type：
N
Package：
TO-220F

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FIR20N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	FIR20N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對(duì)原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FIR20N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FIR20N60FMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	FIRST/福斯特	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	FIR20N65AFG	FIRST(福斯特)	2447	TO-220F(TO-220IS)	105000	50個(gè)/管一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期	詢價(jià)
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	FIR20NS50AFG	First	25+	TO-TO-220F	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

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