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FGY75T120SWD_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FGY75T120SWD_V01
廠商型號(hào)

FGY75T120SWD_V01

功能描述

IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), Non SCR, Power TO247-3L, 1200V, 1.7V, 75A

文件大小

331.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 20:00:00

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FGY75T120SWD_V01規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 3?lead package, FGY75T120SWD offers the

optimum performance with low switching and conduction losses for

high?efficiency operations in various applications like Solar, UPS and

ESS.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature ? TJ = 175°C

? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Smooth and Optimized Switching

? Low Switching Loss

? RoHS Compliant

Applications

? Boost and Inverter in Solar System

? UPS

? Energy Storage System

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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