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FGY4L100T120SWD_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FGY4L100T120SWD_V01
廠商型號(hào)

FGY4L100T120SWD_V01

功能描述

IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), TO247-4L 1200 V, 1.7 V, 100 A

文件大小

242.25 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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FGY4L100T120SWD_V01規(guī)格書詳情

描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 4?lead package, FGY4L100T120SWD offers

the optimum performance with low switching and conduction losses

for high?efficiency operations in various applications like Solar

Inverter, UPS and ESS.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature TJ = 175°C

? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

? High Current Capability

? Smooth and Optimized Switching

? Low Switching Loss

? RoHS Compliant

Applications

? Solar Inverter

? UPS

? Energy Storage System

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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