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FFSH20120A-F155數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

FFSH20120A-F155

參數(shù)屬性

FFSH20120A-F155 封裝/外殼為TO-247-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

封裝外殼

TO-247-2

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-20 17:06:00

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FFSH20120A-F155規(guī)格書詳情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

特性 Features

? Max Junction Temperature
? Tj = 175 °C
? Avalanche Rated
? 200mJ
? High Surge Current Capacity
? Positive Temperature Coefficient
? Ease of Paralleling
? No Reverse Recovery / No Forward Recovery

應(yīng)用 Application

? PFC
? Industrial Power
? Solar
? UPS
? Solar Inverter

簡(jiǎn)介

FFSH20120A-F155屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由制造生產(chǎn)的FFSH20120A-F155二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個(gè)方向流動(dòng),并且每個(gè)器件封裝都恰好實(shí)現(xiàn)該功能的一個(gè)實(shí)例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨(dú)列在各自的產(chǎn)品系列中,每個(gè)器件封裝中包含多個(gè)二極管的產(chǎn)品也是如此。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FFSH20120A-F155

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Device Grade

    :Commercial

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • VRRM (V)

    :1200

  • IF(ave) (A)

    :20

  • VF (Max)

    :2.4

  • IFSM (A)

    :135

  • IR (Max) (μA)

    :400

  • Package Type

    :TO?247?2LD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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