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FDMS86163P數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMS86163P

功能描述

P 溝道,PowerTrench? MOSFET,-100V,-50A,22mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-25 8:04:00

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FDMS86163P規(guī)格書詳情

描述 Description

此 P 溝道 MOSFET 采用 Fairchild 先進的 Power Trench? 工藝生產,這一先進工藝是專為最大限度地降低導通電阻并保持卓越開關性能而定制的。

特性 Features

? 最大 rDS(on) = 22 mΩ(需 VGS = -10 V、ID = -7.9 A)
? 最大 rDS(on) = 30 mΩ(需 VGS = -6 V、ID = -5.9 A)
?中壓 P 溝道硅技術的 RDS-on 極低,非常適用于 Qg 較低的情況
?本品十分適用于需要快速開關和負載開關的場合
?100% 經過 UIL 測試
?符合 RoHS 標準

應用 Application

? 移動通信基礎設施

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMS86163P

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-50

  • PD Max (W)

    :104

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :26

  • Ciss Typ (pF)

    :3070

  • Package Type

    :PQFN-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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