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FDMS86103L數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
FDMS86103L |
功能描述 | N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,100 V,81A,8mΩ |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
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描述 Description
此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench?工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。
特性 Features
? Shielded Gate MOSFET Technology
?VGS = 10 V,ID = 12 A時(shí),最大rDS(on) = 8 mΩ
?VGS = 4.5 V,ID = 10 A時(shí),最大rDS(on) = 11 mΩ
?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率
?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)
?100%經(jīng)過UIL測(cè)試
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用 Application
? This product is general usage and suitable for many different applications.
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
:FDMS86103L
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:81
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:11
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:23
- Ciss Typ (pF)
:2790
- Package Type
:PQFN-8
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飛兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN8 |
12433 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
PQFN-8 |
2360 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
FAI |
13+ |
QFN8 |
2000 |
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量大可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
原ON |
24+ |
NA |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價(jià) | |||
ON |
21+ |
QFN |
3000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
QFN8 |
349 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) |