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FDMS86150數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMS86150

功能描述

N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,100 V,80A,4.85mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-17 10:38:00

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FDMS86150規(guī)格書詳情

描述 Description

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體公司先進(jìn)的 Power Trench? 工藝生產(chǎn),經(jīng)過專門設(shè)計(jì),能夠最大限度地減少通態(tài)電阻,并同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。

特性 Features

?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù)
?VGS = 10V,ID = 16 A時(shí),最大rDS(on) = 4.85mΩ
?VGS = 6 V,ID = 13 A時(shí),最大rDS(on) = 7.8mΩ
?先進(jìn)的封裝技術(shù)和硅技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了低 rDS(on) 和高效率
?MSL1 耐用封裝設(shè)計(jì)
?100%經(jīng)過UIL測試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? DC-DC商用電源

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMS86150

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :156

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :3055

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
QFN-8
17140
原裝正品
詢價(jià)
FAIRCHILD
25+
POWER56
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價(jià)
Fairchild/ON
22+
8PowerTDFN
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ON
24+
QFN8
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
Fairchild(飛兆/仙童)
24+
N/A
7448
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
詢價(jià)
ONSEMI
24+
Power-56-8
10000
詢價(jià)
ONSEMI
24+
N/A
3236
原裝原裝原裝
詢價(jià)
24+
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58000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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ON/安森美
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65300
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ON
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QFN-8
30000
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