FCP11N60數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書
FCP11N60規(guī)格書詳情
描述 Description
SuperFET? MOSFET 是安森美半導體的第一代高壓超結 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻，以及更低門極電荷方面的卓越性能。此技術專用于最大程度降低導電損耗，提供卓越的開關性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常適用于開關電源應用，如 PFC、服務器/電信電源、FPD TV 電源、ATX 電源和工業(yè)電源應用。
特性 Features
?650 V（Tj = 150°C）
?典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
?超低柵極電荷（典型值 Qg=40nC)
?低有效輸出電容（典型值 Coss.eff=95pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標準
技術參數(shù)
- 型號：
FCP11N60
- 功能描述：
MOSFET 600V 11A N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220 |
6893 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220-3 |
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