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FCP110N65F數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

FCP110N65F

功能描述

功率 MOSFET,N 溝道,SUPERFET? II,F(xiàn)RFET?, 650V,35A,110mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 14:20:00

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FCP110N65F規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

SuperFET? II MOSFET 是 Fairchild 利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級(jí)結(jié)(SJ)MOSFET 系列產(chǎn)品。 這項(xiàng)技術(shù)專(zhuān)用于最小化導(dǎo)通損耗并提供卓越的開(kāi)關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET 非常適合開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,如功率因數(shù)校正(PFC)、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業(yè)電源應(yīng)用。 SuperFET II FRFET? MOSFET 優(yōu)化體二極管的反向恢復(fù)性能可去除額外元件并提高系統(tǒng)可靠性。

特性 Features

?700 V @ TJ = 150°C
?典型值 RDS(on) =96 mΩ(典型值)
?超低柵極電荷(典型值 Qg = 98 nC)
?低有效輸出電容(典型值 Coss(eff.) = 308 pF)
?100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試
?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? AC-DC Power Supplies
? LCD / LED / PDP TV
? Solar Inverters
? Telecom / Server Power Supplies

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :FCP110N65F

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :650

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :35

  • PD Max (W)

    :357

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :110

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :98

  • Ciss Typ (pF)

    :3680

  • Package Type

    :TO-220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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