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FCP099N60E數(shù)據手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書
FCP099N60E規(guī)格書詳情
描述 Description
SuperFET? II MOSFET 是飛兆利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結 (SJ) MOSFET 系列產品。 這項技術專用于最小化導通損耗并提供卓越的開關性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此，與SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFET II MOSFET 易驅動系列提供略為緩慢的上升和下降時間。 注意以“E”作為后綴的系列產品有助于控制EMI問題和允許更簡單的設計執(zhí)行。 對于開關速度很快同時需要開關損耗必須盡可能低的應用，請考慮使用 SuperFET II MOSFET 系列。
特性 Features
?650 V（TJ=150°C）
?典型值 RDS(on) = 87 mΩ
?超低柵極電荷（典型值 Qg = 88 nC）
?低有效輸出電容（典型值 Coss(eff.) = 309 pF)
?100% 經過雪崩擊穿測試
?符合 RoHS 標準
應用 Application
? Industrial Power Supplies
? Telecom / Server Power Supplies
技術參數(shù)
- 制造商編號
：FCP099N60E
- 生產廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：37
- PD Max (W)
：357
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：99
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：88
- Ciss Typ (pF)
：2604
- Package Type
：TO-220-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
14+ |
TO-220 |
50 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
0 |
4000 |
原裝原廠代理 可免費送樣品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
2023+ |
0 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
onsemi |
2025+ |
55740 |
詢價 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
詢價 |
